半导体装置结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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半导体装置结构及其形成方法.pdf

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本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111490012 A (43)申请公布日 2020.08.04 (21)申请号 20201