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- 2023-07-15 发布于四川
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本发明提供一种晶圆缺陷监控方法及其系统和电子设备，在晶圆缺陷监控方法中先提供包括晶圆在执行不同的半导体制程工艺时的热点缺陷信息，然后，对半导体制程工艺中每片晶圆的特定位置的芯片进行扫描，以得到每片晶圆的特定位置的芯片的热点特征信息；接着，通过将热点特征信息与热点缺陷信息进行比较来判断特定位置的芯片是否存在缺陷，以判断晶圆是否存在缺陷，如此，实现有效监控晶圆中的缺陷，并且在确定晶圆存在缺陷之后，对存在缺陷的晶圆的非特定位置芯片进行扫描可以确定晶圆中芯片缺陷的数量信息，通过数量信息可以直观的反映晶圆
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435211 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310470597.5
(22)申请日 2023.04.26
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
地址 2
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