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本发明属于半导体技术领域,公开了一种激光烧蚀加超声波剥离的碳化硅减薄方法,其具体包括以下步骤:步骤S1,将激光聚焦到晶圆需要减薄的深度,并在这一深度位置形成均匀分布的炸点;步骤S2,使用超声波处理晶圆,使得晶圆沿着炸点所在面裂开;步骤S3,对裂开面进行打磨、抛光,即完成碳化硅晶圆的减薄。本发明通过激光形成炸点,并配合超声波进行剥离,可以大幅度降低工艺成本;且剥离下来的材料,经过打磨抛光后还可以继续外延生长,用于器件制备,或者加工成特定直径的颗粒,作为其他软材料的磨料重复利用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435174 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310408123.8
(22)申请日 2023.04.17
(71)申请人 重庆伟特森电子科技有限公司
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