功能陶瓷复习题解答.pdfVIP

以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》 1、 举出 3 种以上的典型的超导陶瓷(氧化物超导体) ，定义及其应用。 LaBaCuo、SrBaCuo、NbBaCuo ； 2、说明Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ电容器陶瓷的典型材料、性能特点和用途。I 类陶瓷主要用于高频电路中使用的陶瓷电 容器。性能特点 a:一般具有负温度系数，有时为正温度系数；b:介电常数较高为飞铁电电容陶瓷；c:温度系数值 稳定且高频下及高温时具有低的介质损耗。典型材料：MgTiO3 瓷。II 类陶瓷主要用于制造低频电路中使用的 陶瓷电容器。性能特点：a:介电常数值高（4000-8000 ）b:温度稳定性好；c:居里点在工作温度范围内且能方便 的调整。典型材料：BaTiO3 系、反铁电系。 III 类陶瓷介质的半导体主要用于制造汽车、电子计算机等电路中 要求体积非常小的电容器，性能特点 a:介电常数非常大 7000-几十万以上 b:主要用于低频下 典型材料：半导化 BaTiO3 3、何为铁电陶瓷? BaTiO 铁电陶瓷老化的含义是什么？是一类在某一温度范围内具有自发极化且极化强 3 度随电场反向而反向，具有与铁磁回线相仿的电滞回线的陶瓷材料 老化意义：铁电陶瓷烧成后其介电常数和介电损耗随时间的推移而逐渐减少 4、BaTiO 陶瓷有哪几种晶型相变？画出 BaTiO 陶瓷的介电常数-温度特性曲线示意图。立方相、四方相、 3 3 斜方相和三方相； 5、何谓移峰效应和压峰效应？改性加入物可以有效的移动居里温度，即移动介电常数的居里峰 ，但对介电 常数的陡度一般不呈现明显的压抑作用，这时所引起的效应为移峰效应 ；有的改性加入物可使介电常数的居里 峰受到压抑并展宽所引起的效应为压峰效应。 6、为什么BaTiO 陶瓷最适合做低频电容器介质？由于频率f升高，ε降低，Tanδ升高性能恶化，所以要在 3 低频下使用由于新畴的成核与生长需要一定的时间内，所以ε和f有关。损耗产生的原因是：1、电畴运动 ：畴壁 运动是克服杂质、气孔、晶界的摩擦阻力 ；2、自发极化反转时。伴随着集合形变的换向，必须克服晶胞间与晶 粒间应力作用的反复过程。都要消耗电场能，并以热的形式相空间散逸。反转愈剧烈 ，次数愈频繁 ，则Tanδ愈 大。 1 丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫 一寸光阴一寸金，寸金难买寸光阴。——《增广贤文》 7、BaTiO ，PbTiO ，SrTiO 为什么具有铁电性？ 它们为什么具有不同的居里温度？其居里点分别是多 3 3 3 少？BaTiO ，PbTiO ，SrTiO 具有铁电性的原因：这三种化合物都属于钙钛矿结构。由A与O离子共同作立方 3 3 3 密堆积，B离子处于O八面体中心，所有[BO6]八面体共顶点联结，当温度低于Tc时， B离子偏离八面体中心而 产生离子位移极化，从而使B －O线上的O2 －离子产生电子位移极化，互相耦合，使内电场Ei↑→[BO6]八面体 沿B －O线方向伸长，另外两方向收缩，带动相邻 [BO6]八面体在相同方向极化→电畴。2 ）Tc是自发极化稳定 程度的量度。Tc反映了B4 ＋偏离氧八面体中心后的稳定程度高低，B －O间互作用能较大，需要较大的热运动能 才能使B离子恢复到对称平衡位置，从而摧毁晶体的铁电性（铁电相→顺电相），因此Tc高。反之亦然。3 ）120、 490、—250。 8、对 BaTiO 电容器的要求如何？在使用温度范围内，具有尽可能高的介电常数 ，尽可能低的介电常数变 3 化率或容量变化率 ，尽可能高的 Ej ，尽可能低的 tgδ ，介电常数随交直流电场的变化尽可能小和尽可能小的老 化率。 9、BaTiO 陶瓷为什么要在采用氧化气氛下烧结？ 保持氧化气氛防止 由于还原气氛使部分Ti4+转化为 3 Ti3+产生氧空位从而导致BaTio3陶瓷介质的电性能恶化，损耗显著增加 10、简述BaTiO 陶瓷产生半导化途径和机理。1 ）原子价控制法 （施主