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本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器，所述探测器自下而上设置有：电绝缘基底、铊镍硒纳米片和源、漏电极，铊镍硒纳米片上端的两侧是源、漏电极层，铊镍硒纳米片作为光敏元件，源、漏电极层与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路，所述铊镍硒纳米片的一侧的上端设置硒化铋层，硒化铋层与铊镍硒纳米片搭建异质结结构。本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器通过垂直堆叠结构，在实现上述非对称性接触的同时，实现了势垒的非对称，大的电势差进一步增加净的光电流，提高了器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219350245 U
(45)授权公告日 2023.07.14
(21)申请号 202222815912.7 B82Y 30/00 (2011.01)
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