垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法.pdf

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垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的黑硅层，并在黑硅表面覆盖透明电极ITO，来改善黑硅微结构的表面特性，抑制表面复合，增强载流子的分离，以提升光电探测器的光电响应性能。本发明的器件结构为垂直型，具有高的集成度。通过利用ITO作为黑硅微结构表面的电极，可以很好的抑制表面复合，增强光生载流子的分离，使器件具有高的光电响

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435384 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310499466.X (51)Int.Cl .