一种碳化硅异质晶圆及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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一种碳化硅异质晶圆及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种碳化硅异质晶圆及其制造方法。碳化硅异质晶圆包括碳化硅单晶层、碳化硅支撑层以及位于单晶层与支撑层之间的中间层；中间层的材料是耐高温氧化物，含有碳氧化硅、氧化铝和氧化铪中的一种。同时本发明还提出了碳化硅异质晶圆的制造方法，在碳化硅单晶片和碳化硅支撑片的待键合表面，分别形成薄膜，然后氧等离子体处理后，原位直接键合，形成碳化硅异质晶圆。本发明提出的SiC异质晶圆，提高了SiC单晶的利用率，具有键合强度高，高温下结构稳定，与现有功率器件工艺兼容等优点；制造过程对键合设备和键合工艺要求低，键

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116427033 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310303015.4 (22)申请日 2023.03.27 (71)申请人无锡华鑫检测技术有限公司地址