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本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，电子注入层为数字合金结构，数字合金结构包括至少二种不同的二元化合物；本发明通过将数字合金结构制备成电子注入层，且数字合金结构包括至少二种不同的二元化合物，二元化合物可以有效减小来源于底层本征材料的压应力，提高了量子阱有源层内部的载流子复合效率，进而增加了深紫外发光二极管的发光功率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435426 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310347913.X
(22)申请日 2023.04.03
(71)申请人 苏州紫灿科技有限公司
地址 21
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