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提供了一种在多个衬底上形成外延叠层的方法。在优选实施例中,该方法包括提供半导体处理设备。该半导体处理设备包括处理室和用于在处理室中处理之前或之后放置晶片舟的转盘。该方法还包括将晶片舟装载到处理室中,该晶片舟包括多个衬底。该方法还包括在处理室中处理多个衬底,从而在多个衬底上形成外延叠层。该外延叠层具有预定厚度。该处理包括一次或多次将晶片舟从处理室卸载到转盘,直到外延叠层达到预定厚度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435170 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310031698.2
(22)申请日 2023.01.10
(30)优先权数据
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