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一种闪存存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-15 发布于四川
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一种闪存存储器及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种新型的闪存存储器及其制备方法，其选择栅极位于半导体衬底内的一第一沟槽中，而其擦除栅极则位于所述第一沟槽所对应的半导体衬底的表面上，从而让选择栅极和擦除栅极沿垂直于衬底表面的方向构成上下位结构，以实现在确保分栅闪存器件既能具有低操作电压、高可靠性的性能，同时还可以减小存储单元占用晶圆的面积，即适应尺寸逐渐缩小的小尺寸集成电路的。并且，由于本发明实施例中的分栅闪存器件中，其用于形成选择栅极的第一沟槽与起到器件隔离作用的器件隔离结构如STI结构，是分别形成在两个相互垂直的不同方向所对应

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116437666 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310470915.8 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地

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