原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种有符号位的SRAM多值单元及存算一体芯片，涉及集成电路设计技术领域，单元包括：符号位调制单元、权重符号位存储单元及2N‑1个权重幅值有效位存储单元，N为大于1的整数；本发明采用“符号‑幅值”的编码方式对有符号数进行计算，具体通过权重符号位存储单元，实现权重符号位信号Q与输入符号位信号SIN的异或，得到乘积的符号位信号sign，再通过sign控制符号位调制单元向各权重幅值有效位存储单元输出高电平或低电平，以实现正数加电压，负数减电压的线性计算，无需单独周期和额外电容功耗对输入和权重的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116434802 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310217819.2
(22)申请日 2023.03.03
(71)申请人 北京大学
地址 100871
文档评论（0）