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本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116432565 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310266025.5
(22)申请日 2023.03.13
(71)申请人 清华大学
地址 100084
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