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- 2023-07-15 发布于四川
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本发明提供了一种半导体集成器件的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其在衬底的高压器件区中利用沉积、刻蚀以及离子注入工艺，形成P型高压阱N型高压阱，再在整个衬底的表面上形成厚度较厚的高压氧化层和硬掩膜层，再利用光刻、刻蚀以及离子注入工艺，在已形成的所述P型高压阱和所述N型高压阱的情况下，在低压器件区中形成P型低压阱和/或N型低压阱，进而避免了在形成BCD器件的低压器件区的薄栅氧时，需要采用时长大约在200s左右的湿刻工艺，先去除低压器件区中的厚栅氧化层所造成的遮蔽高压器件区的光刻胶层发生卷边
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435263 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310471064.9
(22)申请日 2023.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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