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单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置.pdfVIP

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  • 2023-07-15 发布于四川
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单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置.pdf

    本发明提供一种可以使单晶中氧浓度的面内分布均匀的单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置。一边对坩埚(11)内的熔液(2)施加横向磁场，一边提拉单晶(3)的单晶的制造方法，在晶体提拉工序中，配合熔液(2)的减少上升坩埚(11)的同时，配合熔液(2)的减少控制磁场分布，使熔液面(2s)中的磁场方向与坩埚(11)的弯曲底部在内表面的磁场方向从主体部生长工序开始到结束为恒定。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116438333 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202180075806.5 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公

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