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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-15 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和衬底基板之间；空腔位于压电层与阻挡结构之间以及第一电极与阻挡结构之间；支撑层在第一方向上位于阻挡结构的部分与压电层之间，且在平行于衬底基板的主表面的水平方向上位于阻挡结构的远离空腔的一侧，其中第一电极自空腔延伸至阻挡结构中，且第一电极与支撑层被阻挡结构分隔开。本公

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116436437 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310691806.9 H03H 3/02 (2006.01) (22)申请日 2023.06.1

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