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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种同质外延GaNHEMT半导体器件、功率开关和电路。所述半导体器件自下至上包括：衬底层、高阻氮化镓GaN缓冲层、氮化镓GaN沟道层、氮化铝AlN插入层、AlxGa1‑xN插入层、ScyAlzGa1‑y‑zN势垒层和AlmGa1‑mN势垒层。本发明的方案通过在同质外延GaNHEMT中引入新型的基于ScyAlzGa1‑y‑zN势垒层结构，采用氮化铝AlN和AlxGa1‑xN两种材质制作两种插入层，采用ScyAlzGa1‑y‑zN、AlmGa1‑mN两种材质制作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435357 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310422701.3 H02M 1/42 (2007.01)
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