单晶材料的制备.pptxVIP

单晶材料的制备;当石英晶体受到电池电力影响时，它也会产生规律的振动。石英晶体每秒的振动次数高达32768次，计算电路数到32768次时，电路会传出讯息，让秒针往前走一秒。;为什么要制备单晶？;为什么要制备单晶？;①固相生长法 ②熔体生长法 ③溶液生长法 ④水热法 ⑤气相法;①固相生长法;应变退火法;固相—固相晶体生长优点： ①生长温度较低； ②生长晶体的形状上事先固定的； ③杂质及其它组分在生长前被固定下来，在生长过程中并不改变。 缺点： 过于简单粗暴，除了“异常长大”的巨大晶粒外，还会留下很多小晶粒。;②熔体生长法;1）提拉法;关键因素;籽晶的制备:螺旋结构总的攀升走向正好与散热方向相反,致使螺旋体内散热均匀,因此在整个螺旋形生长过程中,位向最适合生长的那个晶粒将其他众多的初生晶粒一一淘汰,不断长出枝晶并最终进入试样本体成为单晶铸件. ;关键因素;一般而言，掺杂晶体需要较大的温场梯度；不掺杂或易开裂晶体温度梯度宜小些；较大温度梯度有助于克服组分过冷；较小温度梯度有利于防止开裂，减小应力，降低位错密度。;第15页/共42页;放肩 晶颈生长完后，降低温度和拉速，使晶体直径渐渐增大到所需的大小，称为放肩。; 装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿坩埚平移，至熔体全部结晶。 ;3）区域熔炼法;3）区域熔炼法;3）区域熔炼法;3）区域熔炼法;熔体法晶体生长的局限性： 若存在以下情形，则难以采用熔体法进行晶体生长。 （1） 材料在熔化前就分解； （2） 非同成分熔化的材料； （3） 材料在熔化前升华或在熔点处蒸气压太高； （4） 存在故态相变（脱溶沉淀和共析反应），破坏性相变； （5） 熔点太高； （6） 生长条件和必须进入晶体的某种掺杂不相容。;4）火焰熔化法;4）火焰熔化法;5）熔液相外延法;熔体生长法的共同点： 1、需要一个没有缺陷的籽晶 2、调整好温度，既不能产生其余的核心，也不能冷得太快，增加内应力。;③溶液生长法;③溶液生长法; 溶液是一种物质以分子或离子状态???布于另一种物质中所得到的均匀、稳定的体系。通常情况下，量多的是溶剂，量少的是溶质。;从培养单晶的角度出发，我们总希望析出的溶质都在籽晶上逐渐生长而不希望溶液中出现自发晶体，为此要求在整个生长过程中把溶液都保持在亚稳区．溶液的亚稳区是客观存在的．;③溶液生长法;1）降温法;1）降温法;2）蒸发法;2）流动法;3）蒸发法;④水热法;第38页/共42页;溶剂热法（Solvothermal Synthesis），将水热法中的水换成有机溶剂或非水溶媒（例如：有机胺、醇、氨、四氯化碳或苯等），采用类似于水热法的原理，以制备在水溶液中无法长成，易氧化、易水解或对水敏感的材料。;凝胶法;⑤气相法;谢谢观看！