Ledit及器件版图设计.pptx

Ledit及器件版图设计第1页/共97页 目录版图的介绍L-edit的介绍应用举例第2页/共97页 什么是电路版图和器件版图集成电路? 就是把组成电路的元件、器件以及相互间的连线放在单个芯片上，整个电路就在这个芯片上，把这个芯片放到管壳中进行封装，电路与外部的连接靠引脚完成。?分立器件 单个芯片上只会集成某一种功率应用范围的器件，把这个芯片放到管壳中进行封装，与外部的连接靠引脚完成。第3页/共97页 什么是电路版图和器件版图版图? 根据逻辑与电路或者器件功能和性能要求以及工艺水平要求来设计光刻用的掩膜版图，实现IC或器件设计的最终输出。版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。平面工艺 all processing steps act on a very thin surface layer of the wafer.所有的IC在一个晶片上同时被制造出来，大大降低了制造成本。第4页/共97页 举例第5页/共97页 举例第6页/共97页 举例第7页/共97页 举例第8页/共97页 举例第9页/共97页 举例第10页/共97页 认识版图第11页/共97页 认识版图Y第12页/共97页 认识版图 从平面工艺到立体结构，需要多层掩模板，所以版图是由许多分立的版图叠加而成，每一层都对应工艺过程中某一次或几次掩模。总体映象才会成为花花绿绿的结构。第13页/共97页 举例：CMOS结构示意图 第14页/共97页 举例：CMOS结构示意图 第15页/共97页 举例：CMOS结构示意图 第16页/共97页 举例：CMOS结构示意图 第17页/共97页 举例：CMOS结构示意图 N阱：做N型材料注入的封闭图形。窗口注入形成P管的衬底。第18页/共97页 举例：CMOS结构示意图 有源区：做晶体管的D,G,S,B区域。第19页/共97页 举例：CMOS结构示意图 多晶硅：硅栅和多晶的连线。元胞间一般都有共同的多晶连线。第20页/共97页 举例：CMOS结构示意图 有源区的注入：N+区的注入，漏源连接区或衬底的注入。第21页/共97页 举例：CMOS结构示意图 有源区的注入：P+区的注入，衬底连接区及漏源的注入。第22页/共97页 举例：CMOS结构示意图 接触孔：有源区和外部的接触端子。第23页/共97页 举例：CMOS结构示意图 金属：以铝为材料的金属连线。第24页/共97页 举例：CMOS结构示意图 第25页/共97页 举例：三极管结构示意图 PNP晶体管：各个电极接触孔接不同电位应用。第26页/共97页 举例：二极管结构示意图 PN二极管：同三极管类似，存在寄生效应。第27页/共97页 版图设计规则 版图在工艺中的问题:制版的分辨率问题多层版的套准问题表面不平整问题工艺中的刻蚀和扩散问题梯度引起的效应第28页/共97页 版图设计规则 规则：厂商给定的使其能顺利完成工艺步骤的版图规定第29页/共97页 版图设计规则 a:阱的最小宽度 b:不同电位的阱间距 c:相同电位的阱间距 d:阱对有源区的最小覆盖 e:阱外有源区和阱的间距 第30页/共97页 版图设计规则 a:有源区的最小宽度 b:沟道最小宽度 c:有源区间距 第31页/共97页 版图设计规则 a:接触的最小宽度 b:接触孔间距 c:有源区和孔间距 d:多晶和孔间距第32页/共97页 L-EDIT的应用 L-edit用文件（file），单元（cell）等来描绘版图设计，一个文件由一个或多个单元组成。对图层数，单元数以及等级数都没有限制，包括了基本所有度数和任意多边形的绘图。如以千分之一微米为最小单位来绘图的话最大可绘制一平方米的版图。L-edit简单实用，在国内具有较高的知名度。第33页/共97页 L-EDIT的应用 第34页/共97页 L-EDIT的应用 L-edit 14.0基本的操作界面第35页/共97页 L-EDIT的应用 第36页/共97页 L-EDIT的应用 L-edit 常用快捷键第37页/共97页 L-EDIT的应用 L-edit 的图层L-edit的图层数是没有限制的，每一个图层都用一个设定颜色的小方块表示，小方块中也可以设置