一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器.pdfVIP

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  • 2023-07-18 发布于四川
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一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器.pdf

本实用新型公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器,包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极,阻变层是掺杂有Al的Ta2O5薄膜,其厚度为5‑200nm,底电极和顶电极分别为金属W和Au,衬底材料为Ti/SiO2/Si;本实用新型通过铝元素对Ta2O5掺杂,通过掺杂改变Ta2O5中氧空位的形成能和扩散势垒能,进而改变氧空位扩散激活能,实现对氧空位的扩散激活能的调控,进而对器件的工作电压进行调控,降低工作电压,并提高阻变存储器的阻态保持性能的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214226946 U (45)授权公告日 2021.09.17 (21)申请号 202120063891.0 (22)申请日 2021.01.12 (73)专利权人 河南工程学院 地址

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