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本申请公开了一种半导体激光芯片及制备方法，属于半导体技术领域。半导体激光芯片包括N型衬底以及设置于N型衬底上的外延层；外延层包括依次层叠设置在N型衬底上的过渡层、N型下包层、下波导层、有源层、上波导层、P型上包层以及帽层，帽层以及N型衬底上分别设有P型欧姆接触电极以及N型欧姆接触电极；帽层为不掺杂或低掺杂的半导体材质，帽层以及P型上包层上设有图形化P型杂质扩散区。本申请所提供的半导体激光芯片，P型杂质扩散区外的掺杂浓度低，电流注入范围被限制在P型杂质扩散区内，不需要在帽层上沉积绝缘膜并蚀刻帽层就
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116454732 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310231317.5
(22)申请日 2023.03.01
(71)申请人 深圳瑞波光电子有限公司
地址 5
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