一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法.pdfVIP

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2023-07-19 发布于四川
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一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法.pdf

本发明公开了一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，包括以下步骤：在所述的硅基板上制作SiNx/SiOx复合膜、制作光刻图形；通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；阳极Ag膜沉积制备；化学机械抛光；清洗；ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；对ITO进行刻蚀和去胶；制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；完成硅基OLED阳极的制备。采用上述技术方案，采用Ag电极在硅基OLED领域应用，在不影响分辨率的前提下，可以显著提升阳极反射率，进而可有效提高终端产品AR/VR的亮度；Ag的热稳定性相较于Al更

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116456795 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310468824.0 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人安徽芯视佳半导体显示科技有限公

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