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本发明实施例提供一种可变电阻式存储器及其制造方法，其中该可变电阻式存储器包括：导线结构，分别设置于可变电阻式存储器的阵列区及周边电路区；以及存储器单元，设置于位于阵列区的导线结构上，且存储器单元包括：下电极，设置于导线结构上；电阻转态层，设置于下电极上；以及上电极，设置于电阻转态层上，其中导线结构的上表面与存储器单元的下电极直接接触。导线结构不通过导孔而直接与存储器单元接触，借此可以降低可变电阻式存储器内的串联电阻。如此一来，由于可以对所形成的可变电阻式存储器进行良好的成形操作，可以确保所形成的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116456725 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202210008310.2
(22)申请日 2022.01.05
(71)申请人 华邦电子股份有限公司
地址 中国
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