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4H-SiC埋沟MOSFET击穿特性模拟研究的开题报告 题目：4H-SiC埋沟MOSFET击穿特性模拟研究 研究背景及意义： 随着功率电子技术的发展，SiC材料作为一种理想的半导体材料，因其具有高热稳定性、高电子迁移率、高抗辐射性和高击穿电压等特点而备受关注。埋沟MOSFET是一种SiC功率器件，其结构简单、制造成本低、性能优良、可靠性高等特点，被广泛应用于电力电子领域。然而，由于SiC材料的特殊性质，埋沟MOSFET在高电场下容易产生击穿现象，降低了器件的可靠性和寿命。因此，研究埋沟MOSFET的击穿特性对其应用具有重要的意义。 研究内容： 本文将对4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性进行模拟研究，并探讨其影响因素。具体内容如下： 1. 简要介绍埋沟MOSFET和SiC材料的特点； 2. 总结已有研究成果，分析其不足之处； 3. 基于TCAD工具建立4H-SiC埋沟MOSFET的物理模型； 4. 分析电场分布、载流子分布和温度分布等因素对击穿特性的影响； 5. 探究不同结构参数、材料参数和工艺参数对击穿特性的影响； 6. 对研究结果进行分析和讨论，并提出改进方案； 7. 结论和展望。 研究方法： 本文将采用TCAD工具进行模拟研究，主要步骤如下： 1. 建立4H-SiC埋沟MOSFET的物理模型； 2. 设计数值实验方案； 3. 进行数值实验并统计分析数据； 4. 对实验结果进行修正和验证。 预期成果： 通过模拟研究4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性，本文将获得以下成果： 1. 探究击穿电压与电场分布、载流子分布和温度分布等因素之间的关系； 2. 分析不同结构参数、材料参数和工艺参数对击穿特性的影响； 3. 提出改进方案，以提高4H-SiC埋沟MOSFET的可靠性和寿命； 4. 在理论上对SiC功率器件的发展与应用提供参考。 参考文献： [1] N. Liu, P. M. Shen, W. H. Lee, et al. (2010) “GaAs and SiC power semiconductor devices for high-temperature applications”, Journal of Electronic Materials, 39(8): 1384?1394. [2] E. J. Write, S. Sridhar (2016) “SiC power MOSFETs: a review of current progress and future prospects”, Journal of Semiconductor Technology and Science, 16(6): 675?696. [3] J. Gao, Y. Zhang, Z. Wang, et al. (2018) “Design and simulation of high voltage 4H-SiC MOSFETs with improved on-resistance”, Solid-State Electronics, 142: 67?74.