半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-19 发布于四川
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半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，制作方法包括：形成金属层和第一掩膜层，第一掩膜层位于金属层上方，第一掩膜层包括第一密度的第一凸出图形；根据第一掩膜层定义的图案刻蚀金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构；形成第二掩膜层，第二掩膜层位于金属层上方，第二掩膜层包括第二密度的第二条状图形；根据第二掩膜层定义的图案刻蚀金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构；其中，第二密度为第一密度的两倍，第二宽度尺寸小于第一宽度尺寸，且任意一个金属线本体结构的一端与其中一个金属线末端结构相连。采

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116453947 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202210013298.4 (22)申请日 2022.01.06 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23