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本发明公开了一种钽掺杂二氧化铪铁电薄膜、其制备方法及应用,将Ta金属靶材与HfO2陶瓷靶材,利用多靶材共磁控溅射设备,通过控制溅射功率,获得具有不同Ta掺杂比例的Ta:HfO2薄膜。另外,通过调节溅射功率与工作气体Ar:O2比例,Ta:HfO2薄膜的剩余极化强度Pr可以达到100μC/cm2,相比文献中报道的数据提高了4‑10倍。将其用于仿生物突触器件中,通过控制功能层生长过程中的氧流量、调节突触测试中电脉冲宽度、改变外接串联电阻的阻值实现了突触器件长时程增强与抑制的转变调控。本发明拓宽了仿生突
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116445870 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310232577.4
(22)申请日 2023.03.13
(71)申请人 河南大学
地址 475001
原创力文档


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