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器件漏电流模型及其提取方法.pdfVIP

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  • 2023-07-19 发布于四川
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器件漏电流模型及其提取方法.pdf

    本发明提供一种器件漏电模型，器件漏电流模型用于仿真半导体器件的漏电流；所述器件漏电流模型的漏电流包括主函数与辅函数，且所述主函数与所述辅函数相乘；其中，所述器件漏电流模型的主函数为GIDL漏电流函数，其是根据所述半导体器件的沟道区宽度、沟道区长度、栅源电压及工作温度而得到的；所述辅函数根据所述半导体器件相邻有源区环境参数来确定，用于模拟不同的相邻有源区环境对所述漏电流的影响。通过本发明解决了以现有的漏电流模型进行漏电流拟合时拟合精度较低的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116451636 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310450886.9 (22)申请日 2023.04.24 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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