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半导体处理液及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-20 发布于四川
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半导体处理液及其制造方法.pdf

    本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115335966 A (43)申请公布日 2022.11.11 (21)申请号 202180022829.X (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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