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- 2023-07-20 发布于四川
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本发明实施例提供一种MOSFET器件的隔离驱动电路。该电路包括:低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分,低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和第二MOSFET的驱动电路,第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻。本发明实施例通过在MOSFET器件的隔离驱动电路的隔离部分的输入端连接低电压控制部分,使单片机向隔离部分的输入端输入低电压导致隔离部分输入端引脚之间导通产生电流时,电流流入低电压控制部分,防止电流流入单片机造成单片机的电流消耗较大。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 106301318 A
(43)申请公布日
2017.01.04
(21)申请号 20151
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