芯片封装工艺详解(共42张PPT).pptVIP

Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺详解;;;Die Shear（芯片剪切力） Cap上提，完成一次动作 目前市面上大部分IC均采为SMT式的 Cure Time：8Hrs Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP package FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– 2nd Optical Inspection二光检查 封装形式和工艺逐步高级和复杂 为了防止外部环境的冲击，利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。 Before Molding 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; EOL– Plating（电镀）;;;;;;;;;;Ball Thickness（金球厚度） 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的  Die Attach等工序； 4、Bond Head Resolution： X-0. W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点； 利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。 为了