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微波控制电路 在微波工程中，需要对信号进行控制的场合很多，例如控制电路的通断，改变信号的传输通路，改变微波信号幅度的大小、相位等。要解决这些微波控制问题，可以采用微波铁氧体器件，也可以采用微波半导体器件。目前微波半导体器件的应用更为广泛。控制电路广泛应用于微波测量、微波中继、雷达、卫星通信等系统。常用的有源器件包括PIN二极管、砷化镓场效应三级管、变容管和肖特基势垒二极管。PIN管是最主要的器件，它的开路和短路特性好，控制速度快，微波损耗小，可控功率容量大，因此在微波高频段和高功率电路中经常采用PIN管。 PIN二极管基本特性 PIN二极管的结构 PIN二极管是在重摻杂的P+和N+中间夹一层宽度较大的不摻杂的本征层。本征层又叫做I层，将二极管极间电容减小，击穿电压提高。中间层的厚度为1~100um,这取决于应用要求和频率范围。在电压是正向时，二极管像是一个由所加电流控制的可变电阻器。然而在反向电压时，低摻杂的内层产生空间电荷，其区域达到高摻杂的外层。这种效应即使在小的反向电压下也会发生，直到高电压下基本保持恒定，其结果使二极管表现为类似于平行板电容器。 一般形式的PIN二极管及经台面处理的实用器件如图1所示，与常规的平面结构相比，台面形式的优点是使杂散电容大为减少。 PIN结特性 PIN管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，都具有整流作用，其工作机理是：在零偏压时，由于扩散作用，P区的空穴和N区的电子分别向I区扩散后复合，这样在I区边界附近建立起一电场。由于这一建立起来的电场阻碍空穴和电子继续向I层注入，因此最终会达到动态平衡，因此本征区处于不导电状态，在加反偏压时，PN结不导电的程度更甚。但是在微波频率的特性却有很大差别。 由于I层的总电荷主要是由直流偏置电流产生，而不是由微波电流瞬时值产生的，所以对微波信号只呈现为一个线性电阻，此阻值由直流偏置决定，正偏压时阻值小，接近短路；负偏压时阻值大，接近开路。图2中信号1和信号2的微波电阻值一样。对于某确定的偏流状态，不论加到PIN管上的微波信号幅度多大，PIN管相当于一个线性电阻，其阻值由偏流决定。因此PIN管对微波信号不产生非线性整流作用，这点是PIN管和一般二极管的根本区别。即使在正偏流时，外信号幅度已进入负电压区，由于微波信号使I层电荷移出量只占原积累电荷的一小部分，所以仍有电流，而没有整流现象；反向偏置时，即使微波幅度大到进入正向区，但由于短暂的时间内正向注入到I层的载流子不多，载流子在I层渡越尚未来得及构成复合电流时，微波电压已变为反向并吸出电荷，因此也不产生正向电流。 在正向偏置情况并对轻掺杂N型本征层，流过二极管的电流为 综上所述，PIN管在直流作用下，零偏压呈现高阻，反向偏压时阻抗加大，正偏时呈现低阻，且偏流越大，阻值越低。在微波信号作用下管子的阻抗主要取决于直流偏置的极性和大小，而与微波信号幅度几乎无关。PIN管的微波阻抗只取决于直流偏置的特性，使它非常适合于做微波控制器件。因此，可以利用小功率（直流）改变PIN管在微波电路中的阻抗，以控制微波信号功率。负偏压时呈开路，而正偏压时呈短路，则可构成微波开关或开关式移相器；微波信号在正向小电流偏置情况下，如果连续调节直流电流，值连续改变，从而可构成微波电控衰减器。 PIN二极管管芯等效电路 实际PIN管管芯等效电路，根据外加正偏或反偏电压有所不同。 如图3 a,b所示分别为PIN管管芯的正偏等效电路及简化电路，c d 所示分别为PIN管管芯反偏等效电路。图中为体电阻和欧姆接触电阻，为I层电阻，当时，可忽略容抗，当大偏流时，—，而当反偏较小时，I层尚未穿通，耗尽区以等效，很大可忽略，非耗尽层区由和并联等效。I层穿通后，非耗尽层区不存在，很大，将其忽略，等效电路如图d所示。 综上所述，若不考虑串联电阻，则PIN管的简化等效电路，正偏时等效为一个可变低电阻，反偏时等效为一个恒定电容，呈高阻抗，但这些特性都对应一定的频率上限和下限。 封装PIN二极管等效电路 实际使用的PIN二极管大多数是有封装的。PIN管封装的形式有很多种，主要包括螺纹管座型、同轴型、带状线型、微带型及梁式引线型，它们的结构形状不同，封装参数也不一样。图4给出了最常用的同轴型及梁式引线型封装的PIN管结构。封装PIN管等效电路如图5所示。 图5中为封装电感，在零点零几纳亨以下；是引线电感，约为零点几纳亨到几个纳亨；是封装外壳电容，约为几皮法。 微波开关 微波开关是MIC控制电路的基本器件。PIN微波开关按不同功能可分为两种：一是通断开关，如单刀单掷（SPST）开关，其作用是控制传输系统中微波信号的通断；另一种是转换开关，如单刀双掷（SPDT）开关。SPST的典型应用为微波信号源用的脉冲调制器；SPDT的典型应用为雷达发射机和接收机共用天线的收发转