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一种提高防静电能力的MOSFET器件.pdfVIP

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  • 2023-07-21 发布于四川
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一种提高防静电能力的MOSFET器件.pdf

    本实用新型涉及一种提高防静电能力的MOSFET器件，包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属，栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构，ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽，多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周，栅极串联有多个栅极电阻Rg，栅极电阻Rg包括栅电阻沟槽，且多个栅极电阻沟槽设置在有源区和终端保护区间；本实用新型在现有带ESD防护结构器件的基础上，在栅极串联了栅极电阻Rg，当栅极受到强静电冲击时，Rg电阻会使流向多晶硅二极管回路，有效保护了MOS的薄栅氧结构，使得原

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214279985 U (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202120318432.2 (22)申请日 2021.02.04 (73)专利权人 捷捷微电（无锡）科技有限公司

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