DB32T 4027-2021石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法.docxVIP

ICS 17.040.20 CCS Q 53 FORMTEXT ????? DB FORMTEXT 32 DB FORMTEXT 32/ FORMTEXT T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法 Determination of electrical conductivity of graphene powder—Dynamic four point probe method FORMTEXT ????? 2021- 05 - 14发布 2021 - 06 - 14实施 FORMTEXT 江苏省市场监督管理局发布 FORMTEXT 江苏省地方标准 DB32/T 4027-2021 PAGE I 石墨烯粉体电导率的测定 动态四探针法 范围 本文件规定了利用四探针动态测定石墨烯粉体电导率的方法。 本文件适用于氧化还原法和化学插层剥离法等方法制备的压实后电导率无宏观各向异性的石墨烯粉体的电导率测定。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 30544.13 纳米技术 术语 第13部分：石墨烯及相关二维材料 GB/T 31838.2 固体绝缘材料 介电和电阻特性 第2部分：电阻特性（DC方法） 体积电阻和体积电阻率 JJG 508 四探针电阻率测试仪检定规程 SJ/T 10315 四探针探头通用技术条件 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 石墨烯 graphene 由一个碳原子与周围三个近邻碳原子结合形成蜂窝状结构的碳原子单层。 它是许多碳纳米物体的重要构建单元。 由于石墨烯仅有一层，因此通常被称为单层石墨烯。石墨烯缩写为1LG，以便区别于缩写为2LG的双层石墨烯和缩写为FLG的少层石墨烯。 石墨烯有边界，并且在碳-碳键遭到破坏的地方有缺陷和晶界。 [来源:GB/T 30544.13—2018，定义 3.1.2.1] 体积电阻率electrical resistivity；ρ 在给定的时间及电压下，直流电场强度与材料内部电流密度之比。 在实际中，体积电阻率通常被视为单位体积内的体积电阻。 体积电阻率的单位用Ω·m表示。实际上由于石墨烯粉体电阻率较小，可使用Ω·cm。 [来源:GB/T 31838.2-2019，定义3.2] 粉体电导率powder conductivity；σ 粉体被压实后的体积电阻率的倒数。 四探针法four point probe method 使用分离的载流和电压传感电极对测量薄膜方块电阻、阻抗或导电性的方法。 此法快速、可复位并有局域性。 [来源:GB/T 30544.13—2018，定义 3.3.3.1] 动态四探针法dynamic four point probe method 利用四探针法原位测定石墨烯粉体电导率的方法。 原理 将石墨烯粉体填装至样品槽中（见图1），通过对加压板逐步施加压力，使样品槽内石墨烯粉体与含四探针探头的上电极接触并逐渐被压紧，在T1、T4两处探针间施加电流强度，则T2、T3探针间产生电位差。通过动态四探针法，测试不同压强下的方块电阻，分别利用公式（1）和公式（2）计算得到不同压强下的电阻率和电导率，再利用公式（3）计算不同压强下的石墨烯压实密度。最后得到电导率对压实密度的关系曲线（见图2）。 动态四探针法测定石墨烯粉体电导率的示意图 1—T1、T4两根探针之间施加电流强度；2—T2、T3探针间产生的电位差；3—等间距排列的四探针探头；4—含四探针探头的上电极；5—样品槽；6—石墨烯粉体；7—加压板。 ρ=C×G?T 式中： ρ——石墨烯粉体的电阻率； h——石墨烯粉体受压下的高度； ?——样品槽直径； T——四探针相邻两针的间距； C——探针间距修正系数； G?T D?T U——T2、T3探针间产生的电位差； I——T1、T4两根探针之间通入的电流强度。 σ=1/ρ………………………………………………………………= 2 \* GB2⑵ 式中： σ——石墨烯粉体的电导率； ρ——石墨烯粉体的电阻率。 d=mV=mA 式中： d——不同压强下的石墨烯的压实密度； m——投样质量； V——不同压强下被压实的石墨烯的体积； A——被压实的石墨烯块的横截面积； h——不同压强下的石墨烯的厚度。 石墨烯粉体电导率-压实密度的关系示例图 材料和试剂 乙醇：分析纯。 其他：玻璃培养皿、尖头镊子、无尘布、无尘纸、称量纸、样品勺。 仪器设备 动态四探针仪：包埋四探针探头的材料为绝缘材料；加压板接触样品端为绝缘材料；样品槽内衬为绝缘材料。可测电导率范围为0.01S/cm～10000