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本发明介绍了一种三波段叠层超晶格探测器芯片的制备方法,采用干法刻蚀与湿法腐蚀共同对三波段超晶格材料进行台面尺寸腐蚀,制作出表面光滑、平整度高、侧壁陡直的台阶以满足电性能及后续工艺的进行;采用设定的干法刻蚀参数,干法刻蚀减少深台面腐蚀造成的侧壁钻蚀,有利于保证后工序正常进行;之后采用湿法腐蚀使得芯片表面平整光滑,去除之前干法刻蚀表面形成的损伤层,且避免干法刻蚀在沟道中产生聚合物沉积从而影响二极管性能,增大了光敏元面积,提高器件的探测率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116469960 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310381247.1
(22)申请日 2023.04.11
(71)申请人 中航凯迈(上海)红外科技有限公司
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