一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-22 发布于四川
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一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法.pdf

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本发明实施例涉及一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法，包括在GaN衬底上制备GaN外延层；在GaN外延层上进行选择性刻蚀形成沟槽结构；淀积第一绝缘介质层；在沟槽结构中的第一绝缘介质层上生长第一金属栅极；在第一金属栅极上生长第二绝缘介质层；选择性刻蚀去除除第一金属栅极上方以外区域的第二绝缘介质层及第一金属栅极周围以外区域的第一绝缘介质层；二氧化硅沉积，同时形成沟槽结构内壁上的侧墙结构、第二绝缘介质层上的隔离介质层和沟槽结构两侧GaN外延层的表面准备层；在隔离介质层上生长第二金属栅极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469767 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310327273.6 H01L 29/20 (2006.01) (22)申请日 2023.03.