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- 2023-07-22 发布于四川
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本实用新型涉及锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括:生长炉,在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚;预备坩埚,通过接收固态硅材料来使其熔融,向上述主坩埚供给熔融硅;测定部,以贯通上述生长炉的方式设置,用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定;以及控制部,基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化,对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214300464 U
(45)授权公告日 2021.09.28
(21)申请号 202022877240.3 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2020
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