- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
自上到下自下到上制造的石墨烯电子产品
石墨烯的电子设备可以通过自顶向下(TD)或自底向上(BU)进行接近。 这
个视角定义和解释这两种方法,并讨论了各的优点和局限性,特别是在制造石墨烯
的情况下。 它是利用石墨烯纳米带的,可以使用一个TD 或 BU 方法制备的石墨烯
原型结构进一步举例说明。 在 TD 的方法是非常适合于使用标准图案化工具在一个
芯片上器件的大阵列的位置。 不过,运输署的做法严重损害了石墨烯的边缘,因
为目前制作工具是粗相对于
一个 C-C 键为 0.1 nm 的定义。 卜方法能负担得起的石墨烯边缘的细腻控制; 然
而,把
文档评论(0)