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半桥式变换器概述
在高压开关电源中,功率输出较大的一般都使用半桥式变换器电源电路。半桥逆变电路输入电压低,减少了变压器原边开关管的电压应力;变压器双向励磁,利用率高,且具有一定的抗偏磁能力;开关较少,成本低,因此广泛应用于几百W 到几kW 的各种工业电源和计算机设备用的开关电源中。 。
半桥式变换器电路的主要优点
半桥电路中所使用的功率开关晶体管的耐压较低,绝不会超过输入电压的峰值;晶体管的饱和电压也降至最低;输入滤波电容的耐压也可以减小。但是因为高频变压器上施加的电压幅值只有输入电压的一半,与推挽式电路相比,欲输出相同的功率,则开关晶体管必须流过2倍的电流。
半桥电路的理想化波形
半桥电路的实际应用图
半桥变换器原理如图1(a)所示,图1(b)为变压器T原边绕组的电压VB-A和电流Ip的波形图。电容器C1、C2与开关晶体管Tr1、Tr2组成桥,桥的对角线接变压器T的原边绕组,故称半桥变换器。如果C1= C2,某一开关晶体管导通时,绕组上电压只有电源电压一半。
稳态条件下,在C1=C2,Tr1导通时,C1上的0.5Vs加在原边线圈上,Tr1流过负载电流Io折算至原边电流加上磁化电流。经占空比所定时间后,Tr1关断。此时,由于原边绕组和漏电感的作用,电流继续流入原边绕组黑点标示端。但B接点摆动到负电位(A为0电位)。如果原边绕组漏电感储存的能量足够大时,二极管D6将导通,钳位电压进一步变负。D6导通的过程,把反激能量再生,对C2进行充电。
B连接点的电压在阻尼电阻作用下以振荡形式最后回复到原来的中心值。这时Tr1、Tr2的缓冲器电容和电阻也参与振荡作用。
如果这时Tr2加有导通脉冲,Tr2导通,原边绕组黑点端变负。Io折算电流加上磁化电流,流经原边绕组和Tr2,然后重复以前的过程。不同的是,Ip反了方向,Tr2关断时接点B摆动到正,D5导通钳位,反激能量再生对C1进行充电。
副边电路的工作如下:当Tr1导通时,副边绕组V’s电压使D7导通,与正激变换器工作相似。当Tr1关断,两个绕组电压均朝零变化。副边回路电感L反激,储能继续向负载RL供能。当副边线圈电压降到零时,二极管D7、D8都起着续流作用,D7、D8分得的电流近似相等。在D7、D8都导通时,副边电压V’s钳位到零。
在稳态条件下,在晶体管导通期间通过L的电流增加,关断期间L的电流减小,其平均值等于输出电流Io。
隔直电容的作用
由于电容的隔直作用,半桥电路对由于两个开关导通时间不对称而造成的变压器一次侧电压的直流分量有自动平衡作用,因此不容易发生变压器的偏磁和直流磁饱和。
输入电压与输出电压的关系式
变压器磁芯和工作磁通密度的选取
适用于高频的磁芯材料有铁氧体磁芯,铁粉磁芯以及非晶合金。设计时,要查找三类磁芯的基本特性以选择合适的磁芯材料,在一般情况下都可选用铁氧体材料满足设计要求。然后在根据厂家提供的磁芯材料手册(一般可在磁芯厂家网站获得)选取具体的磁芯材料编号并获得其具体特性参数。
逆变器启动时,高频变压器要经过一个过渡过程才能进入稳态,过渡过程第一个周期磁通密度的幅值将随启动瞬间的相位以及剩余磁通密度的方向不同而异,其最大值将是2 倍工作磁通密度与剩余磁通密度之和,即2Bw+Br,其中Bw 为工作磁通密度。显然,若工作磁通密度选择不当,高频变压器启动瞬间会发生饱和。由于高频变压器和高压功率开关管直接相连并施加较高的电压,高频变压器的饱和,即使是极短的几个周期,也会导致高压功率开关管的损坏,这是绝对予以避免的。通过选择较低的工作磁通密度———工作磁通密度小于饱和磁通密度的 1/3,亦即在剩余磁通密度和饱和磁通密度之间能容纳两倍工作磁通密度,则高频变压器在启动时不会发生饱和。
磁芯规格的选取通常可先估算变压器的效率,然后由输出功率和估算效率计算出变压器的输入功率,再根据生产厂家给出的磁芯规格和传送功率的关系数据来选择。如果手头缺少上述资料,可利用常用的AP法进行估算选取 .
恭祝
马到成功
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