一种超低动态阻抗双向TVS.pdfVIP

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  • 2023-07-24 发布于四川
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本实用新型提出一种超低动态阻抗双向TVS,该超低动态阻抗双向TVS包括衬底层及基区层,衬底层为第一导电类型,基区层为第二导电类型,并形成于衬底层上;还包括浅槽结构,浅槽结构形成于基区层中,其深度小于基区层的深度,在浅槽结构两侧形成第一导电类型的有源区,浅槽结构具有复数个,各浅槽结构之间留有间隔,形成梳齿式布局;还包括浅槽填充层,浅槽填充层形成于浅槽结构内部;还包括电极,电极采用表面多层金属化引出。该TVS采用双向梳齿式布局,既节省了表面面积,又降低了动态阻抗,双向TVS结构动态阻抗低至毫欧姆数量

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214313218 U (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202120615227.2 (22)申请日 2021.03.26 (73)专利权人 傲威半导体无锡有限公司

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