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一种MOSFET高频全桥逆变单元.pdfVIP

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  • 2023-07-24 发布于四川
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一种MOSFET高频全桥逆变单元.pdf

    本实用新型公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本实用新型的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214315072 U (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202120523077.2 (22)申请日 2021.03.12 (73)专利权人 华北电力大学（保定）

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