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本实用新型公开了一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的阳极区P，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：在长基区N上局部设置有P型凸台，该P型凸台与阳极区P连通成一体，所述P型凸台位于电压槽的下方，电压槽的底部部分位于长基区N上，部分位于P型凸台上。本实用新型通过P型隔离层和P+阻挡层能够有效降低器件工作时的功耗，提高产品合格率，可广泛应用于二极管芯片领域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209896070 U
(45)授权公告日
2020.01.03
(21)申请号 20192
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