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2023-07-25 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：半导体单元，所述半导体单元包括至少一片晶圆或者芯片；位于所述半导体单元内且沿第一方向排列的第一TSV结构以及第二TSV结构，所述第一TSV结构与所述第二TSV结构均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同，且在沿所述第二方向上，所述第一TSV结构的长度与所述第二TSV结构的长度不同。本实用新型提供一种结构性能优越的半导体结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896057 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192