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- 2023-07-26 发布于四川
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本发明公开了一种高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，该合金由Mg‑Sn‑Y三种元素组成，其各组成重量百分比含量值为：Sn＝0.5‑10％，Y＝0.5‑10％，余量为镁和不可避免的杂质。本发明还公开了该高阻尼Mg‑Sn‑Y合金的制备方法。本发明所提供的高阻尼Mg‑Sn‑Y合金，通过适当的合金元素组合和成分优化配比，进一步叠加高温热处理程序。使得Sn和Y组合添加使基体具有较小的平衡固溶度，高温热处理工艺使基体中溶质原子析出使合金具有高位错阻尼；然后形成的弥散Mg‑Sn‑Y化合物使合金形成大量亚晶界，使合金具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115233059 A
(43)申请公布日 2022.10.25
(21)申请号 202210974558.4
(22)申请日 2022.08.15
(71)申请人 重庆大学
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