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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种半导体结构及制备方法。该方法包括：提供衬底；于衬底一侧表面形成第一导电类型的第一外延层及第二导电类型的第二外延层；刻蚀第二外延层，以形成图形化外延层及第一沟槽；形成第一导电类型的覆盖层，覆盖第二外延层及裸露的第一外延层；形成与第一沟槽相对应的第二沟槽；于第二沟槽中形成牺牲层；基于牺牲层对覆盖层进行离子注入，形成初始体区和初始源区；形成图形化掩膜层；基于图形化掩膜层对覆盖层进行离子注入，以形成隔离层；隔离层将初始体区分隔为多个体区，将初始源区分隔为多个源区；去除图形化掩膜层和牺牲层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116487329 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310654706.9 (22)申请日 2023.06.02 (71)申请人 广东芯粤能半导体有限公司 地址

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