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- 2023-07-26 发布于四川
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本实用新型公开了一种VDMOS。VDMOS包括若干个相互并联的元胞,所述每个元胞包括依次层叠的衬底、外延层和多晶硅栅;所述外延层包括P柱、N柱、P阱和耗尽层,所述P柱位于所述元胞中外延层上的两相对侧,所述P阱位于所述P柱的上方,所述耗尽层位于所述P阱的上方,所述N柱设置于所述两P柱之间,沿所述衬底的横向延伸方向,所述P柱的尺寸小于所述N柱的尺寸,从而能够以更容易通过较高剂量的离子注入进行工艺控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209896066 U
(45)授权公告日
2020.01.03
(21)申请号 20192
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