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提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示‑N(R1)‑，X2表示‑N(R2)‑，X3表示‑CH(R3)‑，X4表示‑CH(R4)‑等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110546570 A
(43)申请公布日
2019.12.06
(21)申请号 2
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