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一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片.pdf

    本实用新型公开了一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片，包括蓝宝石衬底层、AlN层、N型AlGaN层、N电极层、P型GaN层和P电极层，其中，所述AlN层、所述N型AlGaN层、所述N电极层、所述P型GaN层和所述P电极层依次沉积于所述蓝宝石衬底层表面；所述P型GaN层包括复数个平行设置的第一条状结构，所述P电极层包括复数个平行设置的第二条状结构，所述第二条状结构设置于所述第一条状结构远离所述N电极层一侧。本实用新型通过将P型GaN层和P电极层设置成复数个平行设置的条状结构，有效增加侧壁出光面

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896093 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192

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