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一种VDMOS.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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一种VDMOS.pdf

    本实用新型公开了一种VDMOS。VDMOS包括有源区，有源区设置若干个相互并联的元胞，每个元胞包括依次层叠的衬底、总外延层和多晶硅栅；每个元胞包括一条多晶硅栅，相邻的两条多晶硅栅之间设置N+源区，N+源区包括第一源区和第二源区，每个N+源区中第一源区的数量为两条且紧邻多晶硅栅，每个N+源区中第二源区的数量为若干个且沿多晶硅栅的延伸方向依次排列，第二源区位于两条第一源区之间；沿多晶硅栅的延伸方向，第二N+源区的累计长度小于多晶硅栅长度的50％，使得总的N+源区在衬底上的投影面积被减小，从而减小基区

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896065 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192

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