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本发明属于HEMT器件的技术领域，具体涉及一种可调节的复合凹槽栅E‑HEMT器件及其制备方法。所述E‑HEMT器件包括如下依次设置的组件：衬底、AlN缓冲层、AlGaN/GaN应力释放层、高阻GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，还包括设置于势垒层上的复合凹槽栅极、源极、漏极以及钝化层，复合凹槽栅极包括P‑GaN层、栅介质层以及栅金属层组成，其位于势垒层的凹槽中，凹槽的一侧生长P‑GaN层，另一侧与P‑GaN层上方之间依次外延生长栅介质层以及栅金属层填满
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113517335 A
(43)申请公布日 2021.10.19
(21)申请号 202110657623.6 H01L 21/28 (2006.01)
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