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本发明的半导体装置可包括：设置在密封剂内的半导体晶粒，半导体晶粒与由密封剂形成的封装边缘不对准。半导体晶粒的总径向位移可描述半导体晶粒和封装边缘之间未对准。增层互连结构可包括形成在半导体晶粒和密封剂之上的两个或更多的层，两个或更多的层包括至少一个重分布层RDL。总径向位移可分布在增层互连结构的两个或更多的层上。半导体晶粒和封装边缘的平均未对准可大于至少一个单元特定图案相对于封装边缘的平均未对准。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116487354 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202310352378.7 (51)Int.Cl .
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