倒装发光芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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本实用新型公开了一倒装发光芯片,其包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极,所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道,所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层,并经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层,其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道,其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209912888 U (45)授权公告日 2020.01.07 (21)申请号 20182

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